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ZVN4206G
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T amb = 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL MIN.
MAX.
UNIT CONDITIONS.
Drain-Source Breakdown Voltage BV DSS
60
V
I D =1mA, V GS =0V
Gate-Source Threshold Voltage
V GS(th)
1.3
3
V
I D =1mA, V DS = V GS
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain Current
On-State Drain Current (1)
Static Drain-Source On-State
Resistance (1)
I GSS
I DSS
I D(on)
R DS(on)
3
100
10
100
1
1.5
nA
μ A
μ A
A
?
?
V GS = ± 20V, V DS =0V
V DS =60V, V GS =0V
V DS =48V, V GS =0V, T=125°C (2)
V DS =25V, V GS =10V
V GS =10V, I D =1.5A
V GS =5V, I D =0.5A
Forward Transconductance (1)(2) g fs
300
mS
V DS =25V,I D =1.5A
Input Capacitance (2)
C iss
100
pF
Common Source Output
C oss
60
pF
V DS =25V, V GS =0V, f=1MHz
Capacitance (2)
Reverse Transfer Capacitance (2)
Turn-On Delay Time (2)(3)
C rss
t d(on)
20
8
pF
ns
Rise Time (2)(3)
Turn-Off Delay Time (2)(3)
Fall Time (2)(3)
t r
t d(off)
t f
12
12
15
ns
ns
ns
V DD ≈ 25V, I D =1.5A, V GEN =10V
(1) Measured under pulsed conditions. Width=300 μ s. Duty cycle ≤ 2%
(2) Sample test.
(3) Switching times measured with 50 ? source impedance and <5ns rise time on a pulse generator
3 - 402
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